Очекује се да се силицијум карбид за нове енергетске возила очекује

Силицијум је одувек био најчешће коришћени материјал за производњу полуводичких чипова, углавном због велике резерве силицијума, цена је релативно ниска, а припрема је релативно једноставна. Међутим, примена силицијума у ​​области оптоелектронике и високофреквентних уређаја високог снагу омета се и рад операција силицијума на високим фреквенцијама је лоша, што није погодно за високонапонске апликације. Ова ограничења су све отежала да се уређаји за силицијум засноване на потребе у настајаним апликацијама као што су нова енергетска возила и шина велике брзине и високофреквентне перформансе.

У том контексту, силицијум карбид је ушао у рефлекторе. У поређењу са полуводичким материјалима за прву и другу генерацију, СИЦ има низ одличних физикошне особине, поред ширине опсега опсега, такође има карактеристике високог квара електричног поља, велике брзине електронске брзине, високе топлотне проводљивости, високе термалне проводљивости и висока мобилност. Критични квар електрично поље СИЦ-а је 10 пута од СИ и 5 пута од ГААС-а, што побољшава капацитет напона, радну фреквенцију, и тренутну густину базних уређаја и смањује губитак уређаја. Спојена са вишом термичком проводљивошћу од ЦУ-а, уређај не захтева додатне уређаје за дисипацију топлоте који ће се користити, смањујући укупну величину машине. Поред тога, СИЦ уређаји имају веома ниске губитке у проводљивима и могу да одржавају добре електричне перформансе у ултра високим фреквенцијама. На пример, промена са решења са три нивоа заснована на СИ уређајима на раствор на двије ниво, на основу СИЦ-а може повећати ефикасност од 96% на 97,6% и смањити потрошњу енергије до 40%. Стога, СИЦ уређаји имају велике предности у ниској моћи, минијатуризованим и високофреквентним апликацијама.

У поређењу са традиционалним силиконом, употреба Лимит перформансе силицијум карбида је боља од оног силикона, што може да задовољи потребе за апликацијама, високог притиска, високе фреквенције, велике фреквенције, а тренутни силицијум карбид је примењено на РФ уређаји и уређаји за напајање.

Силиконским карбидним материјалима могу да направе величину уређаја мањи и мањи, а перформансе постају све бољи и бољи, па последњих година произвођачи електричне возила су то фаворизовали. Према РОХМ-у, 5кВ ЛЛЦДЦ / ДЦ Цонвертер, Управљачка плоча напајања замењена је силиконским карбидом уместо силицијумних уређаја, тежина је смањена са 7кг на 0,9 кг, а јачина је смањена са 8755цц до 1350цц. Величина СИЦ уређаја је само 1/10 од силицијум уређаја исте спецификације, а губитак енергије Си Систем СИ Царбит МОСФЕТ је мањи од 1/4 те од ИГБТ-а на бази силицијума Доведите значајне побољшања перформанси крајњем производу.